壓電掃描臺內(nèi)置高可靠性壓電陶瓷驅(qū)動，可以實現(xiàn)大370μm的掃描范圍，運動直線性好，可選擇閉環(huán)版本獲得優(yōu)異的線性度與重復(fù)定位精度。壓電掃描臺采用*的結(jié)構(gòu)設(shè)計，具有大剛度、大出力、大承載等特點，大承載達(dá)3.5kg，空載諧振頻率達(dá)600Hz，配套芯明天大功率控制器響應(yīng)時間高可達(dá)5ms，是精密加工、半導(dǎo)體制造、掃描顯微等應(yīng)用的選擇。壓電掃描臺在納米光刻實驗中需要對鏡片進(jìn)行高速微納米級的精密移動，從而優(yōu)化鏡片讀取的信息。
除了在光刻實驗中有著應(yīng)用，還在激光直寫系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。激光直寫是利用強(qiáng)度可變的激光束對基片表面的抗腐蝕材料實施變劑量曝光，顯影后在抗腐蝕層表面形成所要求的浮雕輪廓，激光直寫系統(tǒng)的基本工作原理是由計算機(jī)控制高精度激光束掃描，在光刻膠上直接曝光寫出所設(shè)計的任意圖形，從而把設(shè)計圖形直接轉(zhuǎn)移到掩模上。
激光直寫的基本工作流程是：用計算機(jī)產(chǎn)生設(shè)計的微光學(xué)元件或待制作的VLSI掩模結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)；將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成直寫系統(tǒng)控制數(shù)據(jù)，由計算機(jī)控制高精度激光束在光刻膠上直接掃描曝光；經(jīng)顯影和刻蝕將設(shè)計圖形傳遞到基片上。
機(jī)械誤差：光刻過程是指放置在電動平臺上的光刻膠基片隨著電動平臺的轉(zhuǎn)動和平移，由聲光調(diào)制器控制光束的強(qiáng)弱對光刻膠進(jìn)行變劑量曝光，通常電動平臺的定位精度達(dá)到微米或亞微米量級。然而由于慣性、靜摩擦、松動等所造成的電動平臺螺距誤差與偏移，將直接影響著系統(tǒng)的性能和光刻元件的質(zhì)量。如何提升實現(xiàn)平臺的高精度定位是激光直寫技術(shù)中需要考慮的問題。
壓電納米定位平臺采用柔性鉸鏈機(jī)構(gòu)，鉸鏈機(jī)構(gòu)基于固體的彈性變形，無滾動和滑動部分，具有零摩擦、高精度的特點，并且具有很高的剛度和承載能力。更重要的是，芯明天壓電納米定位臺的定位精度可達(dá)納米級甚至亞納米級。
